2021年6月25日，士蘭微電子參加了在嘉善舉行的“第四屆中國國際新能源汽車功率半導體市場與關鍵技術論壇（PSiC2021）”，與來自整車、電驅動、功率半導體等產業鏈上下游400余名工程師一起探討新能源車用功率器件的未來。

士蘭可提供多樣化的汽車級IGBT模塊及分立式器件，搭載士蘭自主研發最新五代IGBT和陽極發射效率控制FRD技術芯片，為混合動力汽車及電動汽車設計提供支持。

 其中B系列模塊拓展了混合動力汽車和電動汽車的IGBT模塊的功率區間。該系列產品提供基于多種封裝的不同版本，從而實現了電壓及功率等級拓展性的最大化，涵蓋了270 A至1200 A以及650 V至1200 V規格范圍。

士蘭 B1系列模塊是一款符合汽車標準的模塊，滿足車規級認證，適用于30-60kW的電動汽車。該模塊以150℃工作結溫設計，配備士蘭微Trench-Field-Stop IGBT4芯片和匹配的士蘭FRD芯片。

基于士蘭在IGBT功率模塊開發的長期經驗，對新材料和封裝技術的研究成果，高質量的自動化產線管控，B1模塊具備超低的導通損耗以及優異的短路能力;可以使用風冷或者水冷進行散熱;使用銅基板、高性能Al2O3陶瓷基板同引線鍵合工藝的高度結合，為混動汽車和純電汽車的逆變器提供出色的熱循環和溫度循環能力，保證了系統的最高可靠性。

產品特點：

1. 采用士蘭Trench-Field-Stop IGBT4芯片
2. 多芯片并聯，低損耗IGBT
3. 使用低熱阻三氧化二鋁陶瓷基板
4. 集成NTC溫度傳感器
5. 低VCE(sat)同時具備正溫度系數
6. 絕緣級別：DC 4200Vrms/sec

士蘭 B3系列模塊是一款符合汽車標準的模塊，滿足車規級認證，適用于80-220KW的電動汽車應用。該模塊以150℃工作結溫設計，配備士蘭微Trench-Field-Stop IGBT5芯片和匹配的士蘭FRD芯片。

該系列模塊是士蘭微電子基于自主研發的高密度溝槽工藝IGBT芯片技術開發的六單元拓撲模塊;該模塊適用于混動和純電動汽車等應用領域，具有高電流密度、高短路能力和高阻斷電壓等級，為嚴苛環境條件下的逆變器運行，提供更可靠的保障。

產品特點：

1. 基于精細溝槽的FS-V技術，阻斷電壓達750V
2. 多芯片并聯，低損耗IGBT
3. 根據不同功率等級搭配不同基板與DBC方案
4. 每相內置NTC熱敏電阻
5. 低VCE(sat)同時具備正溫度系數
6. 絕緣級別：DC 4200Vrms/sec

士蘭微電子實現交通領域零排放為己任，將業務成功與社會責任結合在一起，致力于讓人們的生活更加便利、安全和環保。